学会発表

2024
  1. Kouki Noda, Kana Shibata, Kenta Kobayashi, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, and Takao Miyajima「Analysis of the sub-bandgap optical absorption in sub-100-nm-thick Al1-xInxN alloys by using photothermal deflection spectroscopy」3/3-3/7, ISPlasma/IC-PLANTS 2024, 04pD06O(Oral),Nagoya Univ., (2024)
  2. Mayu Nomura, Daichi Imai, and Takao Miyajima「Characterizations of the thermal properties for nitride-based wide bandgap semiconductors by photothermal deflection spectroscopy」3/3-3/7, ISPlasma/IC-PLANTS 2024, 04pD07O(Oral),Nagoya Univ., (2024) .
  3. 〇野田 幸樹、小林 憲汰、今井 大地、竹内 哲也、宮嶋 孝夫 (1.名城大院理工)「GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析」、第71回応用物理学会春季学術講演会、講演番号22p-21C-12、3/22-25、東京都市大学 (2024).
  4. 〇野村 麻友、今井 大地、宮嶋 孝夫 、「光熱偏向信号の周波数依存性解析によるGaNの熱伝導率評価」第71回応用物理学会春季学術講演会、講演番号 22p-21C-13、3/22-25、東京都市大学 (2024).
2023
  1. 〇Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kazutoshi Kubo, Kyosuke Masaki, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima, 「Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy」3/5-3/9, ISPlasma/IC-PLANTS 2023, 08aD03O(Oral),Gifu, (2023) .
  2. 〇間渕 勇多、太田 翔也、鈴木 晴道、今井 大地、宮嶋 孝夫「利得スイッチ駆動させた青紫色 GaN 系半導体レーザからの 短パルス光の偏光多重とピークパワーの増強」3/14-3/18, 第70回春季応用物理学会学術講演会, 17p-B401-12, 上智大学, 東京  (2023).
  3. 〇野田 幸樹，村上 裕人，豊田 隼大, 柴田 夏奈, 野村 麻友, 市川 颯人, 今井 大地，宮嶋 孝夫, 三好 実人, 竹内 哲也 「光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価」3/14-3/18, 第70回春季応用物理学会学術講演会, 17p-B401-13,上智大学, 東京  (2023).
  4. 〇野村 麻友, 野田 幸樹, 今井 大地, 宮嶋 孝夫「光熱偏向分光法による窒化物系混晶半導体薄膜の光・熱物性評価に関する理論的検討」第８４回応用物理学会秋季学術講演会、21p-P06-12、熊本城ホール他、(2023).
  5. 〇市川 颯人, 宇田 陽, 野田 幸樹, 今井 大地, 竹内 哲也, 宮嶋 孝夫「光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成された
    バンドギャップ内準位の評価」22p-B101-9, 第８４回応用物理学会秋季学術講演会、21p-P06-12、熊本城ホール他、(2023).
  6. Takao Miyajima, Takato Ichikawa, Nobuhiro Yasuda, Ryota Kobayashi, Shoya Ota, Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Tomoyo Nakao, Sakiko Enomoto, Shigeo Arai, Satoshi Kamiyama, Daichi Imai, 「Structural Analysis of a Single Ga1 x In x N/GaN Multi quantum Shell by using an X-ray Nano beam from Synchrotron Radiation」14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), CH14-4 (Oral), Fukuoka, (2023).
  7. Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima 「Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in Al 1 x In x N thin films grown on a c plane GaN/Sapphire template」14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), TuP-CH 2 (Poster), Fukuoka, (2023).
2022
  1. 〇豊田 隼大1, 村上 裕人1, 宮田 梨乃1, 今井 大地1, 宮嶋 孝夫1, 三好 実人2, 竹内 哲也1 , 1.名城大院理工, 2.名工大「分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al1-x Inx N混晶のバンド端近傍における光学特性解析」第69回応用物理学会春季学術講演会, 3/22-3/26, 23p-E202-13 (2022).
  2. 〇村上 裕人1, 豊田 隼大1, 久保 寿敏1, 正木 京介1, 今井 大地1, 宮嶋 孝夫1, 三好 実人2, 竹内 哲也1, 1.名城大院理工, 2.名工大「サファイア基板上Al1-x Inx N混晶薄膜における基礎吸収端以下の光吸収過程」23p-E202-14, (2022).
  3. 〇薮谷 歩武1, 大森 智也1, 山田 和輝1, 長谷川 亮太1, 岩山 章1, 神 好人3, 松本 竜弥3, 寅丸 雅光3, 鳥居 博典4, 豊田 隼大1, 今井 大地1, 上山 智1, 竹内 哲也1, 岩谷 素顕1, 三宅 秀人, 1.名城大・理工, 2.三重大・地域イノベ, 3.株式会社日本製鋼所, 4.JSW アフティ株式会社「高反射率誘電体多層膜反射鏡適用による AlGaN 系 UV-B レーザダイオードの特性改善」26p-E203-4, (2022).
  4. 〇太田翔也，小林稜汰，安田伸広，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，青山晃己，西村一輝，上山智，今井大地，宮嶋孝夫：「3次元逆格子マップを用いたGaN 基板上単一GaN 系量子殻における局所歪評価」，第83回応用物理学会秋季学術講演会，23a-C200-11，ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス & オンライン），(2022).
  5. 〇薮谷 歩武, 長谷川 亮太, 近藤 涼輔, 松原 衣里,岩山章, 神 好人, 松本 竜弥, 寅丸 雅光, 鳥居 博典, 今井 大地, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 三宅 秀人：「AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡」第83回秋季応用物理学会2022年9月22日22p-C200-11 （東北大学 川内北キャンパス & オンライン）(2022).
  6. 〇A. Yabutani, T. Omori, R. Hasegawa, K. Yamada, S. Iwayama, Y. Jin, T. Matsumoto, M. Toramaru, H. Torii, D. Imai, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and H. Miyake：「Improvement of performance for UV-B laser diodes by using dielectric multilayer distributed Bragg reflector」International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2022, October 09–14, AT 187, Berlin, Germany (2022).
  7. 〇薮谷 歩武, 長谷川 亮太, 近藤 涼輔, 松原 衣里, 岩山 章, 神 好人, 松本 竜弥, 寅丸 雅光, 鳥居 博典, 今井 大地, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 三宅 秀人：「AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性」レーザ・量子エレクトロニクス研究専門委員会, 11月研究会（ウインクあいち（愛知県産業労働センター），& オンライン開催）11/24~11/25 (2022).
2021
  1. 〇Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima, 「Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate」3/8-3/11, ISPlasma 2021, 1170 (2021) [Oral presentation].
  2. ○豊田 隼大，村上 裕人，宮田 梨乃，今井 大地，宮嶋 孝夫, 三好 実人,  竹内 哲也 「分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討」第68回応用物理学会春季学術講演会, 3/16-3/19, 17p-Z27-11, (2021).
  3. 〇 小林 稜汰1、太田 翔也1、西村 一輝1、青山 晃己1、赤坂 春城1、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、宮本 義也1、上山 智1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工、2.高輝度光科学研究センター)「X線ナノビーム回折法を用いたGaN基板上Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価」第82回応用物理学会秋季学術講演会，10p-N101-20 (2021).
2020
  1. 〇市川 貴登1，近藤 剣1，安田 信広2，今井 康彦2，中尾 知代3，荒井 重勇3，後藤 七美1，上山 智1，今井 大地1，宮嶋 孝夫1 　名城大理工1，高輝度光科学研究センター2，名大未来材料システム研3「⼤型放射光施設SPring-8のX線マイクロビームを⽤いた単⼀ Ga1-xInxN/GaN量⼦殻の局所構造評」第67回春季応用物理学会学術講演会,　13p-A302-7  (2020).
  2. ○大脇 健史・清水 建伍・今井 大地 「銅担持酸化チタン複合膜の可視光下における親水性向上メカニズムの解明 」(名城大学) ○大脇 健史*・清水 建伍・今井 大地, 公益財団法人日本セラミックス協会2020年年会, 2Q10 (2020).
2019
  1. 〇高木 健太1，安藤 壮1，片山 竜二2，上向井 正裕2，今井 大地1，竹内 哲也1，宮嶋 孝夫1 　名城大理工1，阪大院工2「Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製」第66回春季応用物理学会学術講演会、10p-W541-5 (2019).
  2. 〇宮嶋 孝夫1、山田 祐輔1、市川 貴登1、今井 大地1、鮫島 俊之2 (1.名城大理工、2.農工大工)「パルスレーザによるGaNにイオン注入したMgアクセプターの活性化」, 第66回春季応用物理学会学術講演会, 11a-M121-2 (2019).
  3. 〇今井 大地1、山路 知明1、三好 実人2、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工、2.名古屋工大) 「Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析」第66回春季応用物理学会学術講演会,　11a-W541-5  (2019).
  4. [招待講演]〇宮嶋 孝夫1、清木 良麻1、近藤 剣1、市川 貴登1、伊奈 稔哲2、新田 清文2、宇留賀 朋哉2、鶴田 一樹2、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、安田 伸広2、三好 実人3、今井 大地1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工、2.JASRI、3.名工大)「 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価」第66回春季応用物理学会学術講演会,　11p-W933-7 (2019).
  5. 〇Tsuyoshi Ando, Kenta Takagi, Yoshiki Morioka, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama, Daichi Imai, and Takao Miyajima 「Optically Pumped GaN-Based Laterally Coupled Distributed Feedback Semiconductor Lasers with 3rd-Order Surface Gratings Grown on Pendeo-Epitaxy GaN」 7/7-7/12, 13th ICNS, A08.06 (2019).
  6. 〇Takao Miyajima, Yusuke Yamada, Takato Ichikawa, Daichi Imai, and Toshiyuki Sameshima, 「Pulsed-Laser Activation of Implanted Mg Acceptors in GaN Grown on a GaN Substrate」 7/7-7/12, 13th ICNS, E01.02 (2019).
  7. 〇Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima, 「Characterization of Potential Fluctuations and Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on C-Plane GaN Substrate」 7/7-7/12, 13th ICNS, IP01.11 (2019).
  8. 〇Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima, 「Characterization of the Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on a c-Plane freestanding GaN Substrate; The effect of the potential fluctuations」  1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes, 28-29 August, Berlin, Germany (2019).
  9. 〇石川 裕介、荒川 亮太、神林 大介、成塚 重弥、今井 大地、宮嶋 孝,「分子線エピタキシー方で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製」20p-E204-2,第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(2019).
  10. 〇T. Kondo*, T. Ichikawa*, H. Akasaka*, K. Uno*, R. Kobayashi*, Y. Imai**, K. Sumitani**, S. Kimura**, N. Goto*, D. Imai*, S. Kamiyama* and T. Miyajima* 「Structural analysis of Ga(1-x)In(x)N/GaN five-quantum wells grown on side-walls of GaN nano-wires by using an X-ray nano-beam from synchrotron radiation」 The 38th Electronic Materials Symposium, Th3-8, 10, Oct. (2019).
  11. 〇市川 貴登1，近藤 剣1，安田 信広2，隅谷 和嗣2，今井 康彦2，中尾 知代3，荒井 重勇3，後藤 七美1，上山 智1，今井 大地1，宮嶋 孝夫1 　名城大理工1，高輝度光科学研究センター2，名大未来材料システム研3「X線マイクロビーム回折を用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価」第7回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター、P10 (2019).
  12. [招待講演] 〇今井 大地 「半導体レーザーに応用されている窒化物系混晶半導体の光学特性解析」第6回ニューフロンティアリサーチワークショップ、名城大学天白キャンパス、2019年11月15日.
2018
  1. 近藤 剣 、清木 良麻 、今井 康彦、隅谷 和嗣、木村 滋2、高木 健太 、後藤 七美 、市川 貴登 、今井 大地 、上山 智 、宮嶋 孝夫, 「X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価」　第79回秋季応用物理学会学術講演会、講演番号19p-146-21, (2018).
  2. Tsurugi Kondo,  Ryoma Seiki,  Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani,  Shigeru Kimura, Kenta Takagi,  Nanami Goto,  Daichi Imai,  Satoshi Kamiyama,  and Takao Miyajima ,「Structural analysis of m-plane Ga1-xInxN/GaN multi-quantum wells grown on GaN　nano-wires by using 1 -1 0 0 reflection of X-ray nano-beam」, 2018 International Workshop on Nitride Semiconductors, J7-3, Kanazawa, Japan (2018).
2017
  1. ・清木 良麻1、澁谷 弘樹1、今井 康彦2、隅谷 和嗣2、木村　滋2、岩瀬 航平1、宮嶋 孝夫1、上山 智1、今井 大地1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤崎 勇1(1.名城大理工、2.高輝度光科学研)　「X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価」応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、神奈川 (2017).
  2. R. Seiki, H. Shibuya, Y. Imai, K. Sumitani, S. Kimura, K. Iwase, T. Miyajima, S. Kamiyama, D. Imai, T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki: “Structural analysis of GaInN/GaN multi-quantum wells grown on a GaN {1-100} side-wall of nanowire by using an x-ray micro beam”, Proceedings of Internal Conference on Nitride Semiconductors, B 1.60, Strasbourg, (2017)
  3. 宮嶋 孝夫「X線マイクロビームを用いた窒化物系半導体の局所構造評価」 (招待講演）,　第10回窒化物半導体の成長・評価に関する夏季セミナー, 立命館大学 草津キャンパス, 滋賀, 9月13-15日, (2017).
  4. 今井大地, 草部一秀, 吉川明彦, 「(InN)1/(GaN)n短周期超格子による秩序InGaN混晶の物性評価」(招待講演）,第10回窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ, 立命館大学 草津キャンパス, 滋賀, 9月13-15日, (2017).
  5. 清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 近藤剣, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇：「X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸構造の見積もり」, 2017年<第78回>応用物理学会秋季学術講演会, 7p-A301-9, 福岡国際会議場，福岡 (2017).
  6. Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa, 「Optical Characterization of Ordered InGaN Ternary Alloys Based on (InN)1/(GaN)n Short-period Superlattices Grown by Dynamic Atomic Layer Epitaxy (D-ALEp)」 International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED) 2017,Th.4. 4,　Banff, Canada,  Oct. 8-12 (2017).
  7. 清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇：「X線ナノビーム回折法による単一GaNナノワイヤ側面上Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価」, 第5回応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会, PA31, 名古屋大学, (2017).
2016
  1. 清木 良麻1、小森 大資1、池山 和希1、伊奈 稔哲2、小沼 猛儀3、宮嶋 孝夫1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤崎 勇1(1.名城大理工、2.高輝度光科学研、3.工学院大工)「 X線吸収微細構造測定によるAl0.82In0.18Nの局所構造解析」応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟 (2016).
  2. 宮嶋 孝夫1、小森 大資1、清木 良麻1、伊奈 稔哲2、新田 清文2、鈴木 健太1、竹内 哲也1、宇留賀 朋哉2、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1　(1.名城大理工、2.高輝度光科学研)「XAFS法を用いたGaN1-xSbx混晶半導体中のSb占有位置評価」応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟 (2016).
  3.  Takao Miyajima1 , Daisuke Komori1 , Toshiaki Ina2 , Ryoma Seiki1 , Kiyofumi Nitta2 , Tetsuya Takeuchi1 , Tomoya Uruga2 , Satoshi Kamiyama1 , Motoaki Iwaya1 and Isamu Akasaki1 ; 1 Meijo University, Nagoya, Japan; 2 Japa「Determination of the Site of Sb Occupation in MOCVD-Grown GaN1- x Sbx Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements」International Workshop on Nitride Semiconductors, F0.3.03, Florida, U. S. A, (2016).
  4. Ryoma Seiki1 , Daisuke Komori1 , Kazuki Ikeyama1 , Toshiaki Ina2 , Takeyoshi Onuma3 , Takao Miyajima1 , Tetsuya Takeuchi1 , Satoshi Kamiyama1 , Motoaki Iwaya1 and Isamu Akasaki1 ; 1 Meijo University, Nagoya, Japan; 2 Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo-cho, Japan; 3 Kogakuin University, Hachioji, Japan「Local Structural Analysis around In Atoms in Al0.82In0.18N alloy by Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements」International Workshop on Nitride Semiconductors, D1.3.06, Florida, U. S. A, (2016).
  5.  Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai 「Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy (D-ALEp) of InN on/in GaN matrix and its application for fabricating ordered alloys in whole III-N system」, 2016 Lawrence Symposium on Epitaxy, Arizona, USA, 20-24, February, (2016).

論文・著書一覧

2024

  1. Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Koki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima, and Tetsuya Takeuchi, 「Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template」 J. Appl. Phys., 135, 035703 (2024).

2023

  1. Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya「Development of High‐Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes and their Device Applications」Phys. Stat. Sol. A,220, 2200831 (2023).

2022

  1. Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima「Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate」 Jpn. J. Appl. Phys.  61 SA1017 (2022).

2021

  1. 村上 裕人，豊田 隼大，久保 寿敏，今井 大地，宮嶋 孝夫，「窒化物系混晶半導体薄膜のサブギャップ領域における光吸収過程解析手法の構築」名城大学総合研究所紀要、No. 26 pp. 41- 44 (2021).
  2. 宮嶋孝夫，清木良麻，澁谷弘樹，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋，近藤剣，上山智，今井大地：「X 線ナノビームによる GaN ナノワイヤ側面に成長したGa1-xInxN/GaN 三重量子井戸の構造評価」，SPring-8/SACLA利用研究成果集（SPring-8 Section A: Scientific Research Report）, Vol. 9, No. 6, pp. 400-404 (2021)

2020

  1. Daichi Imai, Yuto Murakami, Rino Miyata, Hayata Toyoda, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima 「Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate」Jpn. J. Appl. Phys. 59, 121001 (2020).
  2. 宮嶋孝夫, 小森大資，伊奈稔哲, 清木良麻，新田清文,竹内哲也, 宇留賀朋哉：「X 線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長したSb 添加GaN 中のSb 原子近傍の局所構造解析」，SPring-8/SACLA利用研究成果集（SPring-8 Section A: Scientific Research Report）, Vol. 8, No. 1, pp. 41-44 (2020)
  3. 宮嶋孝夫，荒川亮太，石川裕介，神林大介，森田悠斗，森本晃平，宇野光輝，下原光貴，今井大地，成塚重弥：「分子線エピタキシー法で成長したGaAs 系半導体レーザの室温パルス発振－GaAs系バイセクションレーザのパルス発振を目指して－」，名城大学総合研究所紀要，第25号，pp.17-19 (2020)

2016

  1.  Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Eun-Sook Hwang, Daichi Imai and Takaomi Itoi, 「Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy of InN on/in +c-GaN matrix and fabrication of fine-structure InN/GaN quantum wells: Role of high growth temperature」Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, (2016).
  2.  Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Takaomi Itoi, Ke Wang, Daichi Imai, and Akihiko Yoshikawa,「Growth kinetics and structural perfection of (InN)1/(GaN)1-20 short-period superlattices on +c-GaN template in dynamic atomic layer epitaxy」 Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 108, 152107 (2016).
  3.  Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa, 「Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelength up to 570 nm」Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 108, 092105 (2016).
  4.  Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa, 「Proposal of leak current passivation for InGaN solar cells to reduce the leakage current」Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 108, 042108 (2016).
  5. Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki,  「GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases」Japanese Journal of Applied Physics 55, 05FD01 (2016).
  6.  Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Daichi Imai, and Eun-Sook Hwang,「Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy of InN on/in +c-GaN matrix and fabrication of fine-structure InN/GaN quantum wells: Impact of excess In-atoms at high growth temperature」, Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 120, 235302 (2016).