光集積マテリアルズ研究室 Photonic Integration & Materials Laboratory

光集積マテリアルズ研究室の研究業績を掲載しています。各セクションをクリックして展開できます。

業績リスト (Achievements list)

学術論文 (Journal Papers)

2025

  1. A. Okui, K. Moriya, N. Kai, M. Yamada, A. Nishikawa, A. Loesing, N. Ohkawa, H. Sekiguchi, “Multipoint MicroLED probes for selective neural stimulation in optogenetics,” Jpn. J. Appl. Phys. Brief Note, 64, 048005 (2025). DOI
  2. H. Sekiguchi, H. Katagiri, K. Hoshino, R. Togashi, K. Kishino, “Voltage-tunable RGB emission from a single self-assembled InGaN nanocolumn LED,” Jpn. J. Appl. Phys. Brief Note, 64, 028004 (2025). DOI
  3. G. Shinohara, T. Kayama, A. Okui, W. Oda, A. Nishikawa, A. Loesing, N. Kuga, T. Sasaki, H. Sekiguchi, “Hybrid Probe Combining MicroLED and Neural Electrode for Precise Neural Modulation and Multi-Site Recording,” Appl. Phys. Express, 18, 026501 (2025). DOI

2024

  1. S. Okada, N. Ohkawa, K. Moriya, Y. Saitoh, M. Ishikawa, K. Oya, A. Nishikawa, H. Sekiguchi, “Photopharmacological modulation of hippocampal local fieldpotential by caged-glutamate with MicroLED prob,” Neuropsychopharmacol. Rep., 44, 658 (2024). DOI
  2. R. Kanda, T. Kitade, A. Nishikawa, A. Loesing, H. Sekiguchi, “Fabrication Process of MicroLED Film for Achieving Vertical Current Injection Using Transfer Technology,” Phys. Stat. Sol. A, 221, 2400051 (2024). DOI
  3. T. Kitade, R. Kanda, K. Matsui, A. Nishikawa, A. Loesing, I. Fukunaga, H. Sekiguchi, “Optimization of Gate Structure for Damageless MicroLED Thin Films in Optogenetic Applications,” Phys. Stat. Sol. A, 221, 2300834 (2024). DOI

2023

  1. H. Sekiguchi, “Development of MicroLED neuroscience probe,” JSAP Rev, 2023, 230421 (2023). DOI
  2. M. Yamaga, K. P. O’Donnell, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Crystal-field analysis and models of Eu-emission centers with C3v symmetry in situ Eu- and Mg-codoping GaN layers,” J. Lumin. (2023). DOI
  3. S. Setogawa, R. Kanda, S. Tada, T. Hikima, Y. Saitoh, M. Ishikawa, S. Nakada, F. Seki, K. Hikishima, H. Matsumoto, K. Mizuseki, O. Fukayama, M. Osanai, H. Sekiguchi, N. Ohkawa, “A novel micro-ECoG recording method for recording multisensory neural activity from the parietal to temporal cortices in mice,” Molecular Brain, 16, 38 (2023). DOI

2022

  1. H. Yasunaga, H. Takeuchi, K. Mizuguchi, A. Nishikawa, A. Loesing, M. Ishikawa, C. Kamiyoshihara, S. Setogawa, N. Ohkawa, and H. Sekiguchi, “MicroLED neural probe for effective in vivo optogenetic stimulation,” Opt. Express, 30, 40292-40305 (2022). DOI
  2. S. Setogawa, R. Kanda, S. Tada, Y. Saitoh, M. Ishikawa, S. Nakada, F. Seki, K. Hikishima, H. Matsumoto, K. Mizuzeki, O. Fukayama, M. Osanai, H. Sekiguchi, N. Ohkawa, “A novel micro-ECoG recording method for recording multisensory neural activity from the parietal to emporal cortices in mice,” bioRxiv (2022). DOI
  3. T. Okuno, R. Onoda, L. Toyoshima, K. Miyata, H. Sekiguchi, A. Wakahara, T. Nakaoka, “Local strain-dependent Zeeman splitting in GaN:Eu,” AIP Adv., 12, 075315 (2022). DOI
  4. H. Sekiguchi, H. Matsuhira, R. Kanda, S. Tada, T. Kitade, M. Tsutsumi, A. Nishikawa, A. Loesing, I. Fukunaga, S. Setogawa and N. Ohkawa, “Adhesionable flexible GaN-based microLED array film to brain surface for in vivo optogenetic stimulation,” Appl. Phys. Express, 15, 046501 (2022). DOI

2021

  1. H. Yasunaga, T. Takagi, D. Shinko, Y. Nakayama, Y. Takeuchi, A. Nishikawa, A. Loesing, M. Ohsawa, H. Sekiguchi, “Development of a neural probe integrated with high-efficiency MicroLEDs for in vivo application,” Japanese Journal of Applied Physics, 60, 016503 (2021). DOI

2020

  1. H. Okada, K. Miwa, T. Yokoyama, K. Yamane, A. Wakahara, H. Sekiguchi, “GaN-Based Monolithic Inverter Consiting of Enhacement- and Depletion-Mode MOSFETs by Si ion,” Phys. Stat. Sol. A, 1900550 (2020).

2019

  1. H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, K. Yamane, H. Okada, and A. Wakahara, “Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy,” J. Appl. Phys., 125, 175702 (2019).
  2. H. Sekiguchi, Y. Higashi, K. Yamane, A. Wakahara, H. Okada, and K. Kishino, “Fabrication and optical properties of regularly arranged GaN-based nanocolumns on Si substrate,” J. Vac. Sci. Tech. B, 37, 31207 (2019).
  3. H. Sekiguchi, H. Yasunaga, K. Tsuchiyama, and R. Nitta, “Neural optical probe with monolithically integrated intensity-monitoring mLED and polymer waveguide for optogenetics,” Electron. Lett., 55, 619-621 (2019).
  4. J. A. Piedra-Lorenzana, K. Yamane, K. Shiota, J. Fujimoto, S. Tanaka, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy,” J.Cryst. Growth, 512, 37-40 (2019).
  5. H. Sekiguchi, K. Date, T. Imanishi, H. Tateishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “Regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy through Ti-mask selective-area growth technique,” J. Cryst. Growth, 511, 73-78 (2019).

2018

  1. K. Yamane, S. Mugikura, S. Tanaka, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Impact of temperature and nitrogen composition on the growth of GaAsPN alloys,” J. Cryst. Growth, 486, 24-29 (2018).
  2. A. Sukegawa, H. Sekiguchi, R. Matsuzaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara, “Self-organized Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diode grown by RF-molecular-beam epitaxy,” Phys. Stat. Sol. A, 216, 1800501 (2019).

2017

  1. K. Yamane, K. Sato, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Doping control of SaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic II-V/Si tandem solar cells,” J. Cryst. Growth, 473, 55-59 (2017).
  2. K. Yamane, M. Goto, K. Takahashi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Growth of a lattice-matched GaAsPN P-I-N junction on a Si substrate for monolithic III-V/Si tandem solar cells,” Appl. Phys. Express, 10, 075504 (2017).
  3. K. Yamane, M. Moriyama, K. Boualiong, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Metal-organic vapor phase epitaxy of GaPN alloys via surface nitridation using ammonia,” Phys. Stat. Sol. (B), 254, 1600483 (2017).
  4. H. Okada, M. Baba, M. Furukawa, K. Yamane, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Formation of SiO2 film by chemical capor deposition enhaced by atomic species extracted from a surface-wave generated plasma,” AIP Conference Proceedings, 1807, 020006 (2017).
  5. H. Oktavianto, K. Yamane, H. Sekiguchi, T. Hizawa, A. Wakahara, “Hydrogen flame with bioinspired optoelectronic integrated circuit and field-programmable gate array using integrated three-dimensional system architecture,” Sens. Mater., 29, 587-600 (2017).
  6. H. Sekiguchi, T. Imanishi, R. Matsuzaki, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “Stable-wavelength operation of europium-doped GaN nanocolumn light-emitting diodes grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy,” Electron. Lett, 53, 666-668 (2017).

2016

  1. H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, H. Tateishi, A. Syouji and A. Wakahara, “Optical sites in Eu- and Mg-codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy,” Appl. Phys. Lett., 109, 151106 (2016).
  2. K. Tsuchiyama, K. Yamane, S. Utsunomiya, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Monolithic integration of Si-MOSFET and GaN-LED using Si/SiO2/GaN-LED wafer,” Appl. Phys. Express, 9, 104101 (2016).
  3. H. Sekiguchi, S. Nishikawa, T. Imanishi, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “Structural and optical properties of Eu-doped GaN nanocolumns on (111) Si substrates grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy,” Japanese Journal of Applied Physics, 55, 05FG07 (2016).
  4. N. Urakami, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Molecular-beam epitaxy growth of dilute GaAsN alloys by surface nitridation,” J. Cryst. Growth, 435, 19-23 (2016).
  5. H. Okada, M. Shinohara, Y. Kondo, H. Sekiguchi, K. Yamane, A. Wakahara, “Investigation of HCl-based surface treatment for GaN devices,” AIP Conference Proceedings, 1709, 020011 (2016).
  6. K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Fabrication of Si/SiO2/GaN structure by surface-activated bonding for monolithic integration of optoelectronic devices,” Japanese Journal of Applied Physics, 55, 05FL01 (2016).

2015

  1. Kouji Yamano, Katsumi Kishino, Hiroto Sekiguchi, Takao Oto, Akihiro Wakahara, Yoichi Kawakami, “Novel selective area growth method for regularly arranged AlGaN nanocolumns using nanotemplates,” Journal of Crystal Growth, 425, 316 (2015).
  2. Masayoshi Kanemoto, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Eu3+ luminescence properties of Eu- and Mg-codoped AlGaN,” Journal of Luminescence, 166, 60-66 (2015).

2014

  1. Keisuke Yamane, Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, “III-V-N compounds for multi-junction solar cells on Si,” IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 2972 (2014).
  2. Hiroshi Okada, Yuki Okada, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, Shinichiro Sato, Takeshi Ohshima, “Study of proton irradiation effects on p- and n-type GaN based on two-terminal resistance dependence on 380 keV proton fluence,” IEICE Transactions on Electronics, E97-C, 409 (2014).

2013

  1. Manoj Kumar, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Influence of contact shape on AlGaN/GaN Schottky diode prepared on Si with thick buffer layer,” Applied Physics A: Materials Science and Processing, 112, 847-853 (2013).
  2. Manoj Kumar, Changyong Lee, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Demonstration of a large-area AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit,” Semiconductor Science and Technology, 28, 94005 (2013).
  3. Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “Growth of dilute BGaP allloys by molecular beam epitaxy,” Journal of Crystal Growth, 378, 96 (2013).
  4. Hiroto Sekiguchi, Yasufumi Takagi, Tatsuki Otani, Ryota Matsumura, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “Red Light-Emitting Diodes with Site Selective Eu doped GaN Active Layer,” Japanese Journal of Applied Physics, 52, 08JH01 (2013).
  5. Hiroto Sekiguchi, Yasufumi Takagi, Tatsuki Otani, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “Emission enhancement mechanism of GaN:Eu by Mg codoping,” Journal of Applied Physics,, 113, 13105 (2013).
  6. Sang-Baie Shin, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “CMOS-Compatible Backside-Illuminated Photodiode for Opto-electronic Integrated Circuit Device,” Japanese Journal of Applied Physics, 52, 04CG12 (2013).

国際会議 (International Conferences)

2024
  1. G. Shinohara, A. Okui, A. Nishikawa, A. Loesing, T. Kayama, N. Kuga, T. Sasaki, H. Sekiguchi, “Development of MicroLED/Neural Electrode Hybrid Device,” The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2024), MA3-7, Hanwha Resorts Haeundae, Korea (2024).
  2. R. Kanda, T. Kitade, A. Nishikawa, A. Loesing, H. Sekiguchi, “Development of MicroLED film with vertical current injection structure,” The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2024), LEDIA4-05, Pacifico Yokohama, Japan (2024).
2023
  1. Kakeru Oya, Gota Shinohara, Hibiki Takeuchi, Shogo Okada, Atsushi Nishikawa, Alexander Loesing, Mikiko Ishikawa, Nobuyuki Kai, Noriaki Ohwaka,Hiroto Sekiguchi, “Development of needle-shaped MicroLED/Microfluidic device for optogenetic stimulation and drug delivery,” The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), TuP-OD-20, Fukuoka,Japan (2023).
  2. Ryota Kanda, Taiki Kitde, Atsushi Nishikawa, Alexander Loesing, Masaki Sirai, Hiroki Kobayashi, Izumi Fukunaga, Takuya Hikima, Noriaki Ohkawa,Hiroto Sekiguchi, “Flexible MicroLED array film adhering to the brain surface for in vivo optogenetic stimulation,” The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), OD11-4, Fukuoka,Japan (2023).
  3. Hiroki Yasunaga, Atsushi Nishikawa, Alexander Loesing, Mikiko Ishikawa, Chikako Kamiyoshihara, Susumu Setogawa, Noriaki Ohkawa, Hiroto Sekiguchi, “Development of MicroLED neural device for effective optogenetic stimulation,” The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), OD10-7, Fukuoka,Japan (2023).
  4. Taiki Kitade, Atsushi Nishikawa, Alexander Loesing, Masaki Shirai, Hiroki Kobayashi, Izumi Fukunaga, Hiroto Sekiguchi, “Optimization of gate structure in hollow-structured MicroLED array for batch transfer technique towards flexible LED film,” The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), OD8-3, Fukuoka,Japan (2023).
2022
  1. Kakeru Oya, Noriaki Ohkawa, Hiroki Yasunaga, Susumu Setogawa, Atsushi Nishikawa, Loesing Alexander, Hiroto Sekiguchi, “Needle-Shape Multifunctional Neural Probe Integrated with Light-Emitting Diodes and Fluidic Channel,” 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit, SB10.06.03, Virtual(Honolulu, Hawaii, USA.) (2022).
  2. Ryota Kanda, Shuto Tada, Susumu Setogawa, Noriaki Ohkawa, Hiroto Sekiguchi, “Development of Micro-Electrocorticography Device Covering Wide Area of Cortex in Mice,” 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit, SB10.06.04, Virtual(Honolulu, Hawaii, USA.) (2022).
  3. Hiroki Yasunaga, Daisuke Shinko, Koyo Mizuguchi, Atsushi Nishikawa, Alexander Loesing, Susumu Setogawa, Noriaki Ohkawa, Hiroto Sekiguchi, “Development of high efficiency MicroLED neural probe for in vivo optotogenetic stimulation,” The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, LEDIA3-01, Kanagawa, Japan (2022).
2021
  1. Hiroto Sekiguchi, Hiroki Yasunaga, Atsushi Nishikawa, and Masahiro Ohsawa, “Development of MicroLED Neural Probe for Optogenetics,” Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Virtual (2021).
2019
  1. Hiroto Sekiguchi, Hiroki Yasunaga, Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Monolithic Integration of GaN-micro-LED and Si-MOSFET for Bio-application,” The 26th International Display Workshops (IDW ’19), FMC4/LCT4-3, Sapporo, Japan (2019).
  2. Hiroki Yasunaga, Masahiro Ohsawa, and Hiroto Sekiguchi, “Fabrication of Needle-Shaped GaN-μLED Neural Probe for Optogenetics,” The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2019), OD4-3, Okinawa, Japan (2019).
  3. Hiroto Sekiguchi, Masaru Sakai and Akihiro Wakahara, “Possibility of Single Optical Site of Eu and Mg Codoped GaN,” 13th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-13), IP02.16, Bellevue, Washington (2019).
  4. Hiroto Sekiguchi, Kiyomasa Miwa, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, and Hiroshi Okada, “GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs,” Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (2019).
  5. Hiroto Sekiguchi, Hiroki Yasunaga, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, “Fabrication of neural optical probe using GaN-based blue micro LEDs,” The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’19), kanagawa, Japan (2019).
2018
  1. Hiroki Yasunaga, Hiroto Sekiguchi, “Development of integrated blue μLED neural probes for optogenetic stimulation in the depth direction,” International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018).
  2. A. Sukegawa, H. Sekiguchi, Y. Tamai, S. Fujiwara, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “RF-MBE growth of regularly arranged Europium doped GaN nanocolumns on AlN/Si template for single photon emitter,” International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018).
  3. Hiroto Sekiguchi, Y. Higashi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Column Diameter and Height on Optical Properties of Regularly Arranged GaN Nanocolumn Grown by rf-MBE,” North America Molecular Beam Epitaxy Conferecne (2018).
  4. H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “Fabrication of regularly arranged InGaN:Eu/GaN quanutum wells by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy,” 20th International Conference on Molecular Beam Epitxy, Th-B4-2, Renaissance (R) Shanghai Zhongshan Park Hotel (2018).
  5. K. Yamane, Y. Tachihara, T. Kittaka, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Interpretation of lattice constant and N composition in GaPN alloys through ab initio calculations and experimentations,” International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy-XIX (ICMOVPE-XIX), P1-30, Nara Kasugano International Forum (2018).
  6. Hiroto Sekiguchi, Rosuke Matsuzaki, Atsushi Sukegawa, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara, “Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diodes exhibiting high emission-wavelength stability,” The 45th International Symposium on coupound semiconductors, Th2B6-2, Massachusetts Institute of Technology (2018).
2017
  1. Akihiro Wakahara, Keisuke Yamane, Kento Sato, Masaya Goto, Kenjiro Takahashi, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, “Growth and device application of GaAsPN alloys on Si with lattice-matching conditions,” JSAP 2017 Symposium Photovoltaic 4.0, 16p-304-3, Pacifico Yokohama (2017).
  2. Hiroto Sekiguchi, Seiya Kamizuki, Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Si channeled Implantation in GaN in its Device Application,” 9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 03aC02O, Chubu Univeristy (2017).
2016
  1. Akihiro Wakahara, Hiroto Sekiguch, and Masaru Sakai, “Stable Luminous Eu Site with High Excitation Efficiency in NH3-MBE Grown GaN co-Doped with Mg,” The 2016 Materials Research Society Fall Meeting, EM2.9.04, Massachusetts (2016).
  2. Keisuke Yamane, Tohoru Matsubara, Narihito Okada, Akihiro Wakahara, Kazuyuki Tadatomo, “Structural Origins of Lattice Bowing of Freestanding GaN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy,” The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting, G.6.4, Warsaw University of Technology (2016).
  3. H. Sekiguchi, H. Tateishi, T. Imanishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, “Growth of Eu doped GaN thin film and nanocolumns grown by molecular beam epitaxy,” Energy Material Nanotechnology meeting on Epitaxy 2016, A30, Budapest, Hungary (2016).
  4. Kento Sato, Keisuke Yamane, Masaya Goto, Kenjiroh Takahashi, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Doping control of GaAsPN grown by molecular beam epitaxy toward monolithic III-V/Si tandem solar cells,” The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting, I.2.4, Warsaw, Poland (2016).
  5. Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Shu Utsunomiya, Shota Nakagawa, Yoshiki Tachihara, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada and Akihiro Wakahara, “Monolithic integration of Si-MOSFETs and GaN-?LEDs using Si/SiO2/GaN-LED structure,” The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting, I.5.2, Warsaw, Poland (2016).
  6. Kerlee Boualiong, Kesukei Yamane, Masashi Moriyama, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaPN alloys Assisted by Surface nitridation with ammonia,” 43th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016), MoP-ISCS-007, Toyama, Japan (2016).
  7. Tomohiko Imanishi, Hiroto Sekiguchi, Satoshi Nishikawa, Kohei Ozaki, Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, and Akihiro Wakahara, “Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy,” 43th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016), WeB1-4, Toyama, Japan (2016).
2015
  1. Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “Fabrication of Si/SiO2/GaN-LED wafer using surface activated bonding,” The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, We-B6, Hamamatsu, Japan (2015).
  2. Kohei Date, Hiroto Sekiguchi, Ai Yanagihara, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Katsumi Kishino, “Evaluation of surface diffusion lengths of Ga adatom on m-and c-plane GaN during MBE growth,” The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, LN-Tu-1, Hamamatsu, Japan (2015).
  3. Satoshi Nishikawa, Hiroto Sekiguchi, Tomohiko Imanishi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Eu doped GaN nanocolumns grown by rf-plasma-assisted molecular beam eptaxy,” The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japan (2015).
  4. Hiroyuki Tahara, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Eu incorporation mechanism of Eu doped GaN grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy,” The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japan (2015).
  5. Kento Sato, Keisuke Yamane, Shun Mugikura, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Effects of growth temperature on crystalline quality of high nitrogen composition GaAsPN,” The Irago Conference 2015, P53, Tahara, Japan (2015).
  6. Yutaka Kondo, Kyohei Kawakami, Hiroshi Okada, Hiroto Sejiguchi, Keisuke Yamane, and Akihiro Wakahara, “Study of pretreatment for surface passivation layer deposition on AlGaN/GaN transistors,” 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 9-3, Hida, Japan (2015).
  7. Hiroto Sekiguchi, Masayoshi Kanemoto, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Sharp red light-emitting diodes using optical site selected Eu doped GaN active layer,” Material Challenges in Alternative & Renewable Energy, Jeju, Korea (2015).
2014
  1. Koji Yamano, Takao Oto, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, Yoichi Kawakami, Katsumi Kishino, “Regularly Arranged AlGaN Nanocolumn Growth on Nanocolumn Templates,” International Conference on Molecular Beam Epitaxy, FlagStaf, USA (2014).
  2. Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Growth of Dilute Nitride Layer and Its Application to GaAs(P)N Quantum Well Structure,” International Conference on Molecular Beam Epitaxy, FlagStaf, USA (2014).
  3. Hiroto Sekiguchi, Ryota Matsumura, Masayoshi Kanemoto, Takuho Kamada, Masaru Sakai, Atsushi Syouji, Akihiro Wakahara, “Optical Site Control of Eu doped GaN by Mg Codoping,” International Conference on Molecular Beam Epitaxy, FlagStaf, USA (2014).
  4. Akihiro Wakahara, Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, “III-V-N/Si heteroepitaxy for multijunction solar cells,” 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC-40), Denver, Colorado, USA (2014).
  5. Akinari Takada, Satoru Ochi, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “GaN-Based UV Sensor Array for Integration with Si Sensing Circuit,” 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Aichi, Japan (2014).
  6. Tsuchiyama, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Evaluation of Optical Property in Various InGaN Micro-LED Size (l=470nm),” 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Aichi, Japan (2014).
  7. Ryota Matsumura, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Eu concentration dependence of optical properties for Eu and Mg codoped GaN,” 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Aichi, Japan (2014).
2013
  1. Akihiro Wakahara, Noriyuki Urakami, Hironari Ito, Hiroshi Okada, and Hiroto Sekiguchi, “III-N-based optoelectronic devices and their integration,” 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Hokkaido, Japan (2013).
  2. Hiroshi Okada, Yuki Okada, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, S. Sato, T. Oshima, “Proton irradiation effects on electrical and luminescence properties of GaN-based light emitting device,” 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Hokkaido, Japan (2013).
  3. Masayoshi Kanemoto, Hiroto Sekiguchi, Yasufumi Takagi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Effect of Mg codoping on optical characteristics in Eu doped AlGaN,” MRS-JSAP-Joint, Kyoto, Japan. (2013).
  4. Hiroto Sekiguchi, Ryota Matsumura, Tatsuki Otani, Yasufumi Takagi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Fabrication of low-temperature-dependent light-emitting diodes using Eu and Mg codoped GaN,” International conferenece on nitride semiconductor 10, Washington, DC, USA (2013).
  5. Noriyuki Urakami, Hironari Ito, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara, “Growth and multiple stacking of self-assembled InGaAsN/GaP quantum dot by molecular beam epitaxy,” 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy, Warsaw, Poland (2013).
  6. Hiroshi Okada, Yuki Okada, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, Shinichiro Sato, and Takeshi Ohshima, “Proton irradiation effects on p- and n-type GaN,” 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Seoul, Korea (2013).
  7. Noriyuki Urakami, Hironari Ito, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, “Growth of GaAsN quantum well structure by surface nitridation,” the 40th Int. Symp. On Compound Semiconductors, Kobe, Japan. (2013).

国内会議 (Domestic Conferences)

2026
  1. 花井丈弥、山田晃大、西川 敦、Alexander Loesing、関口寛人, “三次元光遺伝学刺激のための積層型GaN-μLEDプローブ開発,” 第73回応用物理学会春季学術講演、15a-W2_401-9、東京科学大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2026年3月).
  2. 黒木瑠莉、松井壱渡、西川 敦、Alexander Loesing、引間卓弥、大川宜昭、関口寛人, “フレキシブルLED／⽪質脳波計測統合デバイスの開発,” 第73回応用物理学会春季学術講演、15a-W2_401-10、東京科学大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2026年3月).
  3. ゴペイジン、守屋和輝、引間卓弥、大川宜昭、関口寛人, “SU-8側壁構造を利⽤したマイクロ流路・電極プローブの開発,” 第73回応用物理学会春季学術講演、18a-PB2-21、東京科学大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2026年3月).
2025
  1. 小田航、神田 稜太、松井壱渡、Alexander Loesing、西川 敦、関口寛人, “光遺伝学用マイクロLEDフィルムデバイスの温度制御設計,” 第44回電子材料シンポジウム、Th1-29、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2025年9月).
  2. 黒木瑠莉、松井壱渡、Alexander Loesing、西川 敦、関口寛人, “反転転写を用いたLEDフィルムの作製プロセスの開発,” 第44回電子材料シンポジウム、Th1-28、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2025年9月).
  3. 山田 晃大、西川 敦、Alexander Loesing、関口 寛人, “光遺伝学応用マイクロLEDプローブの光学的・熱的特性解析,” 第86回応用物理学会秋季学術講演会、10a-P05-12、名城大学、愛知県名古屋市 (2025年9月).
  4. 松井 壱渡、神田 稜太、西川 敦、Loseing Alexander、関口 寛人, “Sn/In金属を用いたマイクロLEDの反転転写プロセス,” 第86回応用物理学会秋季学術講演会、10a-N301-10、名城大学、愛知県名古屋市 (2025年9月).
  5. 守屋 和輝、西川 敦、Alexander Loesing、大川 宜昭、関口 寛人, “多機能化マイクロLEDプローブの開発とIn vivo光薬理学への応用,” 第86回応用物理学会秋季学術講演会、10a-N301-9、名城大学、愛知県名古屋市 (2025年9月).
  6. 関口 寛人、神田 稜太、大川 宜昭、福永 泉美、西川 敦, “光治療応用に向けた神経制御LEDフィルムの開発,” 第72回応用物理学会春季学術講演、14p-K401-5、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
  7. 奥井 歩夢、西川 敦、Loesing Alexander、大川 宜昭、関口 寛人, “光遺伝学の精密制御に向けた多点LEDプローブの開発,” 第72回応用物理学会春季学術講演、14p-K401-6、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
  8. 松井 壱渡、神田 稜太、西川 敦、Loseing Alexander、関口 寛人, “ステップレス構造LEDを用いたマイクロLEDフィルムの作製,” 第72回応用物理学会春季学術講演、14p-K401-6、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
  9. 守屋 和輝、篠原 豪太、矢野 大輝、西川 敦、Alexander Loesing、大川 宜昭、関口 寛人, “In vivo 光薬理学実験に向けた多機能プローブの基盤技術の開発,” 第72回応用物理学会春季学術講演、17p-K403-3、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
  10. 神田 稜太、福永 泉美、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “LEDフィルムを用いたマウス脳内光刺激の空間分解能の検証,” 第72回応用物理学会春季学術講演、17p-K403-2、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
  11. 山田 晃大、引間 卓弥、奥井 歩夢、濱高 靖浩、西川 敦、Loesing Alexander、大川 宜昭、関口 寛人, “多点LEDプローブ・多点皮質脳波電極シートを活用した神経活動の局所的介入と多点計測系の構築,” 第72回応用物理学会春季学術講演、15a-P05-10、東京理科大学、千葉県野田市 (2025年3月).
2024
  1. 篠原 豪太、奥井 歩夢、西川 敦、Loesing Alexander、鹿山 将、久我 奈穂子、佐々木 拓哉、関口 寛人, “マイクロLEDと神経電極のハイブリッド集積デバイスの開発,” 第85回応用物理学会秋季学術講演会、18a-C42-13、朱鷺メッセ他、新潟県新潟市 (2024年9月).
  2. 片桐 颯斗、星野 航太、進藤 隆太、山口 智広、関口 寛人、富樫 理恵、岸野 克己, “異なるナノコラムサイズをもつ InGaN/GaN ナノコラムの微細集積化,” 第85回応用物理学会秋季学術講演会、17a-C42-5、朱鷺メッセ他、新潟県新潟市 (2024年9月).
  3. 濱高 靖浩、引間 卓弥、神田 稜太、大川 宜昭、関口 寛人, “多感覚応答の同時記録を可能にする多点皮質脳波電極シートの開発,” 第85回応用物理学会秋季学術講演会、18a-C31-3、朱鷺メッセ他、新潟県新潟市 (2024年9月).
  4. 守屋 和輝、大川 宜昭、岡田 章吾、斎藤 喜人、大屋 翔、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “マイクロLEDプローブを用いた光薬理学操作の検証,” 第85回応用物理学会秋季学術講演会、20a-P04-9、朱鷺メッセ他、新潟県新潟市 (2024年9月).
  5. 大屋 翔、西永 慈郎、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “CIGS太陽電池による多点マイクロLEDプローブの駆動,” 第85回応用物理学会秋季学術講演会、18p-C31-13、朱鷺メッセ他、新潟県新潟市 (2024年9月).
  6. 神田 稜太、西川敦、A. Loesing、関口 寛人, “低温金属接合を用いたマイクロLEDアレイの転写技術,” 第1回末松カンファレンス、P-2-12、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2024年8月).
  7. 片桐 颯斗、星野 航太、進藤隆太、山口智広、 関口寛人、富樫理恵、岸野克巳, “InGaNナノコラム形状による発光色制御と微細集積化,” 第1回末松カンファレンス、P-2-11、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2024年8月).
  8. 篠原 豪太、守屋 和輝、奥井 歩夢、西川 敦、A. Loesing、鹿山 将、久我 奈穂子、佐々木 拓哉、関口 寛人, “ハイブリッド接合を用いた神経プローブの多機能化,” 第1回末松カンファレンス、E-2、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2024年8月).
  9. 濱高 靖浩、引間 卓弥、神田 稜太、大川 宜昭、関口 寛人, “多感覚応答の同時記録のための多点皮質脳波電極シートの開発,” 第1回末松カンファレンス、P-1-14、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2024年8月).
  10. 神田 稜太、北出 泰己、西川 敦、Alexander Loesing、関口 寛人, “導電性材料への転写による縦型電流注入可能なフレキシブルマイクロLEDフィルムの開発,” 第71回応用物理学会春季学術講演、23p-21C-9、東京都市大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区 (2024年3月).
  11. 北出 泰己、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “損傷のない一括転写技術のためのマイクロLED中空構造の最適化,” 第71回応用物理学会春季学術講演、23p-21C-8、東京都市大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区 (2024年3月).
  12. 岡田 章吾、大川 宜昭、斎藤 喜人、大屋 翔、西川 敦、関口 寛人, “LEDを用いたケージド化合物による海馬局所フィールド電位の光薬理学的変調,” 第71回応用物理学会春季学術講演、25a-1BL-9、東京都市大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区 (2024年3月).
  13. 篠原 豪太、小田 航、西川 敦、Loesing Alexander、安永 弘樹、関口 寛人, “神経科学研究への応用を目指した神経プローブのハイブリッド集積技術,” 第71回応用物理学会春季学術講演、22a-P04-19、東京都市大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区 (2024年3月).
2023
  1. 篠原 豪太、小田 航、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “マイクロLEDおよび神経電極を搭載した神経科学ツール作製のためのプロセス技術開発,” 第42回電子材料シンポジウム、Fri-22、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2023年1月).
  2. 関口 寛人、大川 宜昭, “脳システム解明に向けたインプランタブルLEDデバイスの開発,” 第42回電子材料シンポジウム、Fr1-1、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2023年1月).
  3. 濱高 靖浩、神田 稜太、引間 卓弥、大川 宜昭、関口 寛人, “マウスの多感覚応答記録を可能にする皮質脳波記録シートの開発,” 第42回電子材料シンポジウム、Th4-10、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2023年1月).
  4. 松井 壱渡、東峰 佳伸、神田 稜太、北出 泰己、西川 敦、Loesing Alexander、上吉原 千賀子、 大川 宜昭、関口 寛人, “銀ナノワイヤを用いたフレキシブルマイクロLEDフィルムの初期検討,” 第42回電子材料シンポジウム、Th4-9、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2023年1月).
  5. 餅田 湖、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “生体蛍光観察に向けたInGaN系フォトディテクタの開発,” 第42回電子材料シンポジウム、Th4-8、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2023年1月).
  6. 奥井 歩夢、西垣 尚太朗、西川 敦、Alexander Loesing、白井 雅紀、小林 宏樹、関口 寛人, “Bイオン注入およびGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製,” 第84回応用物理学会秋季学術講演会、21p-P06-5、大阪城ホール他、熊本県熊本市 (2023年9月).
  7. 竹内 響、大屋 翔、西川 敦、Loesing Alexander、引間 卓弥、大川 宜昭、関口 寛人, “マイクロLEDプローブを用いた特定部位への選択的光刺激の検証,” 第84回応用物理学会秋季学術講演会、23a-B101-11、大阪城ホール他、熊本県熊本市 (2023年9月).
  8. 北出 泰己、西川 敦、Loesing Alexander、白井 雅紀、小林 宏樹、関口 寛人, “一括転写技術に向けたマイクロLED中空構造のゲート部の最適化,” 第84回応用物理学会秋季学術講演会、23a-B101-9、大阪城ホール他、熊本県熊本市 (2023年9月).
  9. 大屋 翔、篠原 豪太、西川 敦、Loesing Alexander、石河 三貴子、甲斐 信行、大川 宜昭、関口 寛人, “光刺激・薬液投与を可能とするマイクロLED/流路神経プローブの開発,” 第84回応用物理学会秋季学術講演会、23a-B101-10、大阪城ホール他、熊本県熊本市 (2023年9月).
  10. 奥井 歩夢、西垣 尚太朗、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “Bイオン注入法を用いた針型マイクロLEDアレイの作製,” 第70回応用物理学会春季学術講演会、17p-PB07-9、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2023年3月).
  11. 岡田 章吾、大屋 翔、安永 弘樹、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “生体光刺激のためのマイクロLEDプローブへの生体保護コーティング,” 第70回応用物理学会春季学術講演会、17p-PB07-6、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2023年3月).
  12. 篠原 豪太、大屋 翔、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “熱酸化プロセス温度がマイクロLEDの発光特性に与える影響,” 第70回応用物理学会春季学術講演会、15p-B401-12、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2023年3月).
  13. 北出 泰己、神田 稜太、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “一括転写技術のためのマイクロLEDの中空構造形成技術,” 第70回応用物理学会春季学術講演会、15p-B401-11、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2023年3月).
  14. 大屋 翔、篠原 豪太、西川 敦、Loesing Alexander、関口 寛人, “マイクロ流路を同時集積したマイクロLED神経プローブの開発,” 第70回応用物理学会春季学術講演会、15p-B401-13、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2023年3月).
2022
  1. 神田 稜太、北出 泰己、西川 敦、Alexander Loesing、福永 泉美、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “マイクロ LED と記録電極を備えた生体埋め込みフレキシブルデバイスの開発,” 第41回電子材料シンポジウム、Fr1-7、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2022年1月).
  2. 関口 寛人、安永 弘樹、西川 敦、Alexander Loesing、瀬戸川 将、大川 宜昭, “最先端の神経科学研究に活用するマイクロ LED プローブの開発,” 第41回電子材料シンポジウム、Fr1-6、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2022年1月).
  3. 北出 泰己、松平 颯、神田 稜太、西川 敦、Alexander Loesing、瀬戸川 将、福永 泉美、大川 宜昭、関口 寛人, “転写技術によるフレキシブルマイクロ LED アレイフィルの開発,” 第41回電子材料シンポジウム、Th2-6、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2022年1月).
  4. S. Nishigaki、and H. Sekiguchi, “Ｂイオン注入を用いた絶縁層形成によるマイクロ LED の作製,” 第41回電子材料シンポジウム、Th2-5、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2022年1月).
  5. 篠原 豪太、大屋 翔、西川 敦、A. Loesing、関口 寛人, “光刺激・薬液投与を可能とする神経プローブのための流路内 SiO2 形成技術,” 第41回電子材料シンポジウム、Th1-8、THE KASHIHARA、奈良県橿原市 (2022年1月).
  6. 安永 弘樹、水口 公陽、大屋 翔、竹内 響、西川 敦、Loesing Alexander、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “効果的な生体光刺激に向けたマイクロLEDプローブの脳内温度評価,” 第83回応用物理学会秋季学術講演会、23p-C200-11、東北大学川内北キャンパス、宮城県仙台市 (2022年9月).
  7. 安永 弘樹、水口 公陽、大屋 翔、竹内 響、西川 敦、Alexander Loesing、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “マイクロLEDによる脳内光減衰特性と生体光刺激の実証,” 第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E202-5、青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県相模原市 (2022年3月).
  8. 竹内 響、安永 弘樹、水口 公陽、西川 敦、Alexander Loesing、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “マイクロLED神経プローブ駆動時の脳内温度モニタリング,” 第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E202-4、青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県相模原市 (2022年3月).
  9. 北出 泰己、松平 颯、神田 稜太、西川 敦、Alexander Loesing、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “脳に密着可能な広域脳領域を標的とするフレキシブルμLEDの開発,” 第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E202-3、青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県相模原市 (2022年3月).
  10. 壁屋 誠人、東峰 佳伸、安永 弘樹、水口 公陽、西川 敦、Alexander Loesing、関口 寛人, “InGaNナノコラム蛍光発光を用いた黄色発光LEDの検討,” 第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E202-2、青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県相模原市 (2022年3月).
  11. 神田 稜太、多田 修斗、堤 雅隆、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “脳広範囲に適用可能な小動物用皮質脳波計測デバイスの開発,” 第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E105-1、青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県相模原市 (2022年3月).
2021
  1. �戸川将、岩永功佑、多田修斗、斎藤喜人、石河三貴子、松本英之、水関健司、関口寛人、大川宜昭, “運動・認知スキルの獲得メカニズム解明に向けた小動物用多点薄膜皮質脳波計の開発,” 第76回日本体力医学会大会、A2-23、オンライン開催 (2021年月).
  2. 関口寛人、安永弘樹、若原昭浩、西川敦、A. Loesing、瀬戸川将、大川宜昭, “オプトジェネティクス応用に向けた窒化物半導体マイクロLED プローブ技術の開発,” 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、、リジェール松山、愛媛県松山市 (2021年1月).
  3. 関口 寛人、安永 弘樹、若原 昭浩、西川 敦、A. Loesing、瀬戸川 将、大川 宜昭, “光遺伝学応用に向けた GaN 系マイクロ LED プローブの開発,” Sophia Open Research Weeks 2021 第２回半導体ナノフォトニクス研究会、、オンライン開催 (2021年1月).
  4. 関口 寛人、安永 弘樹、多田 修斗、松平 颯、大屋 翔、水口 公陽、西川 敦、Loesing Alexander、大澤 匡弘、瀬戸川 将、大川 宜昭, “生体光刺激のためのマイクロLEDデバイスの革新,” 第82回応用物理学会秋季学術講演会、11a-N201-3、オンライン開催 (2021年9月).
  5. 大屋 翔、中山 雄晟、安永 弘樹、西川 敦、Loesing Alexander、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “光照射・薬剤投与のためのマイクロLED／流路神経プローブの作製,” 第82回応用物理学会秋季学術講演会、11a-N201-7、オンライン開催 (2021年9月).
  6. 奥野 智大、小野田 稜太、関口 寛人、若原 昭浩、中岡 俊裕, “RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂,” 第68回応用物理学会春季学術講演会、18ｐ-Z23-4、オンライン開催 (2021年3月).
  7. 多田 修斗、岩永 功佑、瀬戸川 将、大川 宜昭、関口 寛人, “マウス側頭皮質に設置可能な脳波記録電極シートの検討,” 第68回応用物理学会春季学術講演会、18p-Z22-2、オンライン開催 (2021年3月).
  8. 松平 颯、前田 吏輝、西川 敦、Alexander Loesing、福永 泉美、関口 寛人, “脳に密着可能なフレキシブルマイクロLEDアレイシートの作製,” 第68回応用物理学会春季学術講演会、16a-Z27-9、オンライン開催 (2021年3月).
  9. 大屋 翔、中山 雄晟、安永 弘樹、山崎 久朗、西川 敦、Loesing Alexander、大澤 匡弘、関口 寛人, “光・化学遺伝学的同時操作のためのLED／流路神経プローブの開発,” 第68回応用物理学会春季学術講演会、16a-Z27-8、オンライン開催 (2021年3月).
  10. 水口 公陽、新古 大輔、安永 弘樹、山崎 久朗、西川 敦、Alexander Loesing、大澤 匡弘、関口 寛人, “光遺伝学に応用するマイクロLED神経プローブの温度特性評価,” 第68回応用物理学会春季学術講演会、16a-Z27-7、オンライン開催 (2021年3月).
2020
  1. 新古大輔、安永弘樹、高木俊裕、中山雄晟、水口公陽、西川敦、Alexander Loesing、大澤匡弘、関口寛人, “脳組織の光遺伝学操作に向けたマイクロLEDプローブの開発,” 第39回電子材料シンポジウム、VR-3、オンライン開催 (2020年1月).
  2. 前田 吏輝、増田 海斗、西川 敦、Alexander Loesing、福永 泉美、関口 寛人, “フレキシブルシート上へのマイクロLED転写技術の開発,” 第39回電子材料シンポジウム、VR-2、オンライン開催 (2020年1月).
  3. 安永 弘樹、新古 大輔、中山 雄晟、大澤 匡弘、関口 寛人, “脳領域への光刺激に向けたマイクロLEDプローブの作製と温度評価,” 第81回応用物理学会秋季学術講演会、10a-Z02-7、オンライン開催 (2020年9月).
  4. Anzhelika Koldaeva、Andreas Schaefer、Hiroto Sekiguchi、Izumi Fukunaga, “Task-dependent modulation of olfactory representations,” 第81回応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z03-6、オンライン開催 (2020年9月).
  5. 関口 寛人、安永 弘樹、中山 雄晟、前田 吏輝、新古 大輔、西川 敦、Loesing Alexander、稲波 千尋、大澤 匡弘、福永 泉美, “アンサンブルな脳神経活動の解明に向けたマイクロLEDツールの開発,” 第81回応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z03-7、オンライン開催 (2020年9月).
  6. 羅 瀾、安永 弘樹、関口 寛人, “B+注入による絶縁化技術を用いたマイクロLEDのサイズ依存性,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、13p-PB1-13、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
  7. 前田 吏輝、増田 海斗、西川 敦、Loesing Alexander、福永 泉美、関口 寛人, “フレキシブルエレクトロニクス応用に向けたマイクロLEDのPDMSシートへの転写技術の検討,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、13a-A302-8、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
  8. 新古 大輔、高木 俊裕、安永 弘樹、稲波 千尋、大澤 匡弘、関口 寛人, “脳神経活動の光操作と電気信号計測を可能にする刺入型一体プローブの開発,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、13p-A408-12、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
  9. 岩永 功佑、藤原 慎二郎、白井 雅紀、高澤 悟、関口 寛人, “マイクロレンズ集積によるマイクロLEDの指向性制御の検討,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、13a-A302-7、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
  10. 安永 弘樹、中山 雄晟、稲波 千尋、大澤 匡弘、関口 寛人, “マイクロLEDと神経電極のハイブリッド集積プローブの作製,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、13a-A302-9、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
  11. 関口 寛人、安永 弘樹、増田 海斗、中山 雄晟、前田 吏輝、西川 敦、Loesing Alexander、稲波 千尋、大澤 匡弘、福永 泉美, “高次脳機能解明に向けたアンサンブル光刺激を可能にするマイクロLEDデバイスの開発,” 第67回応用物理学会春季学術講演会、14p-A409-6、上智大学四谷キャンパス、東京都千代田区 (2020年3月).
2019
  1. 関口 寛人, “GaN ナノコラムの結晶成長と光デバイス応用,” 2019年日本表面真空学会中部支部研究会 『ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線』 、、静岡大学浜松キャンパス、静岡県浜松市 (2019年1月).
  2. 髙木 俊裕、安永 弘樹、新古 大輔、中山 雄晟、大澤 匡弘、関口 寛人, “青色マイクロ LED と針型神経電気記録プローブの一体集積化,” 第38回電子材料シンポジウム、Fr2-2、THE KASHIHARA(奈良)、奈良県橿原市 (2019年1月).
  3. 小野田 稜太、関口 寛人、若原 昭浩、中岡 俊裕, “濃度の異なるEu添加GaN薄膜におけるゼーマン分裂,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会、19p-C309-12、北海道大学札幌キャンパス、北海道札幌市 (2019年9月).
  4. 藤原 慎二郎、白井 雅紀、高澤 悟、関口 寛人, “高濃度GaN:Geスパッタ薄膜を用いたトンネル接合LEDの作製,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会、18a-PB3-42、北海道大学札幌キャンパス、北海道札幌市 (2019年9月).
  5. 安永弘樹、関口寛人, “生体低侵襲型Si基板上青色マイクロLEDプローブの作製,” 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　IWN2018、Fr-P22+J116D115:L116、広島大学東広島キャンパス、愛知県名古屋市 (2019年6月).
  6. 増⽥ 海⽃、安永 弘樹、福永 泉美、関⼝ 寛⼈, “空間的パターン光刺激のためのGaN-μLEDアレイの作製,” 第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-PA3-9、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2019年3月).
  7. 髙木俊裕、関口寛人、玉井良和、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩, “GaNナノコラム光共振器構造の設計と作製,” 第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-W541-18、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2019年3月).
  8. 藤原慎二郎、関口寛人、助川睦、玉井良和、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩、岸野克巳, “RF-MBE法を用いたAlN/Si基板上への規則配列Eu添加GaNナノコラムの成長,” 第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-W541-19、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2019年3月).
  9. 安永弘樹、大澤匡弘、関口寛人, “多点光刺激を可能にする針型Si基板上青色μLEDプローブの作製,” 第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-13、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区 (2019年3月).
2018
  1. 藤原慎二郎、関口寛人、助川睦、玉井良和、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩、岸野克巳, “Fabrication of regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns on AlN/Si substrate grown by RF-MBE,” 第37回電子材料シンポジウム、Th2-21、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市 (2018年1月).
  2. 馬場真人、岡田浩、古川雅一、山根啓輔、関口寛人、若原昭浩, “窒化物半導体デバイス応用に向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討,” 第79回応用物理学会秋季学術講演会、18p-PA6-23、名古屋国際会議場、愛知県名古屋市 (2018年9月).
  3. 安永弘樹、関口寛人, “脳組織への光刺激のための刺入型GaN-μLEDデバイスの作製,” 第79回応用物理学会秋季学術講演会、21a-146-5、名古屋国際会議場、愛知県名古屋市 (2018年9月).
  4. 塩田 幸輝、山根 啓輔、J. A. Piedra-Lorenzana、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “GaPのMBE成長におけるGa吸着子の表面拡散長の定量化,” 第79回応用物理学会秋季学術講演会、18p-234B-3、名古屋国際会議場、愛知県名古屋市 (2018年9月).
  5. 田中 俊介、山根 啓輔、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “分子線エピタキシー法により成長したGe添加GaPN混晶の電気的特性,” 第79回応用物理学会秋季学術講演会、18p-234B-5、名古屋国際会議場、愛知県名古屋市 (2018年9月).
  6. 関口寛人、安永弘樹、若原昭浩, “新規イメージングデバイスに実装する際に最適なLED光源の開発とその原理,” 日本薬学会第138年会、S33-4、ホテル金沢 (2018年3月).
  7. 彦坂宗、山根 啓輔、高橋賢二郎、後藤 聖也、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “GaAsPN混晶における光学的・電気的特性に及ぼすアニールの影響,” 第65回応用物理学会春季学術講演会、18p-P8-1、早稲田大学理工学キャンパス (2018年3月).
  8. 田中 俊介、山根 啓輔、後藤 聖也、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “GaP系III-V-N混晶の導電性制御にむけたGeドーパントの検討,” 第65回応用物理学会春季学術講演会、17p-F214-3、早稲田大学理工学キャンパス (2018年3月).
  9. 横山太一、三輪清允、岡田浩、関口寛人、山根啓輔、若原昭浩, “イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2),” 第65回応用物理学会春季学術講演会、17p-P12-20、早稲田大学理工学キャンパス (2018年3月).
  10. 安永弘樹、関口寛人、若原昭浩, “In vivo光刺激用GaN-μLEDプローブの作製,” 第65回応用物理学会春季学術講演会、17p-P11-7、早稲田大学理工学キャンパス (2018年3月).
  11. 助川睦、関口寛人、松﨑良相、山根啓輔、岡田浩、岸野克己、若原昭浩, “自己形成Eu添加GaNナノコラムの光学特性評価,” 第65回応用物理学会春季学術講演会、20p-E202-10、早稲田大学理工学キャンパス (2018年3月).
2017
  1. 東幸幹、関口寛人、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩、岸野克巳, “RF-MBE 法を用いた Si(111)基板上への規則配列 GaN ナノコラムの成長,” 第36回電子材料シンポジウム、Fr1-5、長浜ロイヤルホテル (2017年1月).
  2. 尾崎耕平、関口寛人、玉井良和、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩, “Ti マスクを用いた規則配列 Eu 添加 GaN ナノコラムの作製,” 第36回電子材料シンポジウム、Th3-8、長浜ロイヤルホテル (2017年1月).
  3. 助川睦、関口寛人、松崎良相、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩, “RF 分子線エピタキシーによる Eu 添加 InGaN ナノコラムの成長,” 第36回電子材料シンポジウム、Th3-7、長浜ロイヤルホテル (2017年1月).
  4. 松崎良相、関口寛人、助川睦、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩, “RF-MBE 法による Eu 添加 GaN ナノコラム LED デバイスの作製,” 第36回電子材料シンポジウム、Th-2-1、長浜ロイヤルホテル (2017年1月).
  5. 関口寛人、岡田浩、三輪清允、横山太一、山根啓輔、若原昭浩, “GaN へのチャネリングイオン注入の開発と GaN-IC 作製に向けた GaN MOSFET の作製,” 第36回電子材料シンポジウム、Th1-8、長浜ロイヤルホテル (2017年1月).
  6. 中川翔太、土山和晃、宇都宮脩、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, “Si/SiO2/GaN-LED 基板を用いた光電子集積回路の開発,” 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会　平成 29 年度特別事業企画 委員会 100 回記念特別公開シンポジウム、P16、ロワジール豊橋 (2017年1月).
  7. 松崎良相、関口寛人、助川睦、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩, “RF-MBE 法を用いたEu添加GaNナノコラムLEDデバイスの作製,” 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第１６２委員会　平成 29 年度特別事業企画 委員会 100 回記念特別公開シンポジウム、P04、ロワジール豊橋 (2017年1月).
  8. 馬場 真人、中村健人、岡田 浩、古川 雅一、山根 啓輔、関口 寛人、若原 昭浩, “表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2),” 第78回応用物理学会秋季学術講演会、6p-PA8-28、福岡国際会議場 (2017年9月).
  9. 高橋 賢二郎、山根 啓輔、佐藤 健人、後藤 聖也、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “Si基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の電気的特性評価,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、17a-B5-2、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  10. 土山和晃、関口寛人、新田遼、安永弘樹、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩, “光電子集積回路の実現に向けたGaN-?LED/PDとシクロオレフィン系ポリマー導波路のモノリシック集積に関する検討,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、16a-503-8、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  11. 馬場 真人、近藤 佑隆、岡田 浩、古川 雅一、山根 啓輔、関口 寛人、若原 昭浩, “表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、16a-P4-8、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  12. 橘髙 昂志、山根 啓輔、Boualiong Kerlee、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “表面窒化法によるGaPN混晶の成長における窒素取り込み機構の検討,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、17p-P2-3、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  13. 佐藤 健人、山根 啓輔、後藤 聖也、高橋 賢二郎、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, “多接合太陽電池に向けたSi基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の結晶成長,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、17a-B5-1、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  14. 友保健介、関口寛人、立石紘己、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩, “RF-MBE法を用いたEu添加GaNを活性層とする赤色LEDの作製,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、16a-503-3、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  15. 中川翔太、土山和晃、宇都宮脩、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, “Si/SiO2/GaN-LED基板を用いたモノリシック型CMOS/LED混載集積回路の作製,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、16a-503-7、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  16. 関口寛人、酒井優、若原昭浩, “Eu,Mg共添加GaNにおける単一発光サイトの観測,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、17p-503-10、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  17. 岡田浩、関口寛人、上月誠也、山根啓輔、若原 昭浩, “イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、14a-315-8、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  18. 関口寛人、今西智彦、伊達浩平、立石紘己、山根啓輔、岡田 浩、岸野克巳、若原昭浩, “規則配列GaNナノコラム上へのInGaN:Eu/GaN量子井戸の形成,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、14a-503-6、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  19. 山根啓輔、佐藤健人、関口寛人、岡田浩、若原 昭浩, “ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ,” 第64回応用物理学会春季学術講演会、14p-B6-14、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市 (2017年3月).
  20. 土山和晃、宇都宮脩、中川翔太、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, “超大規模光電子融合チップのための基盤構造およびモノリシック集積型GaN-?LED用駆動回路の開発,” 電子情報通信学会レーザー・量子エレクトロニクス研究会、、京都大学桂キャンパス (2017年1月).
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