AlInN混晶のバンドギャップ内吸収に関する論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました。

「Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1−xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template」
Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi, J. Appl. Phys. 135, 035703 (2024).