理工学部電気電子工学科太田研究室

理工学部　電気電子工学科　太田研究室　のホームページです。

大電力パルスパワーやミストを活用した薄膜堆積手法をベース技術として、半導体デバイスや半導体材料の開発を行っています。現在着目しているのは特に酸化物半導体で、これを用いた薄膜トランジスタ、透明導電膜、パワー半導体、スマートウインドウ、水素製造などの技術開発に取り組んでます。また、ナノカーボン複合材料とプラズマ技術を併用して新しい燃料電池用触媒の開発にも取り組んでいます。

薄膜トランジスタ（IGZO)：高速表示が可能な8kディスプレイや酸化物半導体メモリとしての応用が期待される。

・IGZOを半導体層に用いた薄膜トランジスタ(TFT)

透明導電膜（ITO)：ディスプレイや太陽電池等に応用

・LED点灯回路によるデモ

エレクトロクロミック材料(WO3)：スマートウィンドウやスマートガラス等に応用

・着色デモ　　　

・脱色デモ（着色したものに逆電圧を印加）

「多様な経験を通して，学生が大きく羽ばたく学びのコミュニティを創り広げること」を目標とした名城大学：学びのコミュニティ創出支援事業において、「Society 5.0に向けた電気電子技術者養成」プログラムを推進しています。　⇒　　電気電子工学科学生プロジェクト

2022年度:「放電プラズマによる汚染水の脱色条件の検討」

　　　　　　活動内容（2023年3月11日　電気学会主催U-21学生研究発表会発表）　

2023年度:「大気圧プラズマを用いた基板の表面処理」

　　　　　　活動内容（2024年3月8日　電気学会主催U-21学生研究発表会発表）　